IGBT-модули
IGBT-модуль FF300R12KS4
FF300R12KS4 — полумостовой IGBT-модуль с обратными диодами. Предельное напряжение коллектор–эмиттер VCES составляет 1200 В, допустимый постоянный ток коллектора — 300 А при температуре корпуса Tc = 60 °C.
- Предельное напряжение VCES
- 1200 В
- Допустимый постоянный ток
- 300 А при Tc = 60 °C
- Схема
- Полумост
Цена по запросу
Стоимость и срок поставки уточняются для выбранного исполнения.
Запросить стоимостьОсобенности FF300R12KS4
В модуле применены быстрые IGBT второго поколения. Типовой заряд затвора — 3,2 мкКл при изменении VGE от −15 до +15 В. При замене проверьте драйвер и сопротивление цепи затвора: от них зависят скорость переключения и потери.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Внутренняя схема | Полумост | — |
| Предельное напряжение коллектор–эмиттер | 1200 Вмакс. | Tj = 25 °C |
| Допустимый постоянный ток коллектора | 300 Адопустимый постоянный | Tc = 60 °C; Tj max = 150 °C |
| Допустимый постоянный ток при Tc = 25 °C | 370 Адопустимый постоянный | Tc = 25 °C; Tj max = 150 °C |
| Предельный импульсный ток коллектора | 600 Амакс. | Импульс 1 мс |
| Предельное напряжение затвор–эмиттер | ±20 Впредельное | — |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 3,2 Втип. | Ic = 300 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 3,75 Вмакс. | Ic = 300 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Предельная рассеиваемая мощность | 1950 Втпредельная | Tc = 25 °C; на один IGBT; Tj max = 150 °C |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус | 0,064 К/Втмакс. | На один IGBT |
| Температура кристалла при коммутации | −40…+125 °Cдопустимый диапазон | — |
| Предельная температура кристалла | 150 °Cмакс. | Предел в условиях абсолютных максимальных значений |
| Температура хранения | −40…+125 °Cдиапазон | — |
| Испытательное напряжение изоляции | 2,5 кВ ACдействующее | 1 мин при 50 Гц |
| Заряд затвора | 3,2 мкКлтип. | VGE: от −15 до +15 В |
| Сопротивление внутреннего резистора затвора | 1 Омтип. | Tj = 25 °C |
| Входная ёмкость | 20 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Проходная ёмкость | 1,4 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Длина × ширина основания | 106,4 × 61,4 ммноминальные размеры | По чертежу корпуса |
| Масса | 340 гтип. | — |
| Энергия включения | 25 мДжтип. | Ic = 300 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGon = 3 Ом; Ls = 60 нГн; di/dt = 5000 А/мкс |
| Энергия выключения | 15 мДжтип. | Ic = 300 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGoff = 3 Ом; Ls = 60 нГн; du/dt = 7500 В/мкс |
Tc — температура корпуса, Tj — температура кристалла. «Тип.» означает типовое значение, «макс.» — максимальное. Для полумостов токи и мощность рассеяния указаны на один IGBT. Предельные параметры не задают рекомендуемый рабочий режим.