IGBT-модули
IGBT-модуль BSM200GA120DN2
BSM200GA120DN2 — модуль с одним IGBT и обратным диодом. Предельное напряжение коллектор–эмиттер — 1200 В. Допустимый постоянный ток составляет 200 А при Tc = 80 °C и 300 А при Tc = 25 °C.
- Предельное напряжение VCES
- 1200 В
- Допустимый постоянный ток
- 200 А при Tc = 80 °C
- Схема
- Одиночный ключ
Цена по запросу
Стоимость и срок поставки уточняются для выбранного исполнения.
Запросить стоимостьПроверка маркировки и выводов
В документации BSM200GA120DN2 указан корпус SINGLE SWITCH 1. Вариант с суффиксом S имеет другое исполнение корпуса. Для подбора нужны полная маркировка и фотографии силовых и управляющих выводов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Внутренняя схема | Одиночный ключ | — |
| Предельное напряжение коллектор–эмиттер | 1200 Вмакс. | — |
| Допустимый постоянный ток коллектора | 200 Адопустимый постоянный | Tc = 80 °C |
| Допустимый постоянный ток при Tc = 25 °C | 300 Адопустимый постоянный | Tc = 25 °C |
| Предельный импульсный ток коллектора | 400 Амакс. | Импульс 1 мс; Tc = 80 °C |
| Предельный импульсный ток при Tc = 25 °C | 600 Амакс. | Импульс 1 мс; Tc = 25 °C |
| Предельное напряжение затвор–эмиттер | ±20 Впредельное | — |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,5 Втип. | Ic = 200 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 3 Вмакс. | Ic = 200 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Предельная рассеиваемая мощность | 1550 Втпредельная | Tc = 25 °C; на один IGBT |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус | 0,08 К/Втмакс. | На один IGBT |
| Предельная температура кристалла | 150 °Cмакс. | Предел в условиях абсолютных максимальных значений |
| Температура хранения | −40…+125 °Cдиапазон | — |
| Испытательное напряжение изоляции | 2,5 кВ ACдействующее | 1 мин |
| Входная ёмкость | 13 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Проходная ёмкость | 1 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Масса | 420 г | Чертёж SINGLE SWITCH 1 от 27,10,1997 |
Tc — температура корпуса, Tj — температура кристалла. «Тип.» означает типовое значение, «макс.» — максимальное. Для полумостов токи и мощность рассеяния указаны на один IGBT. Предельные параметры не задают рекомендуемый рабочий режим.