IGBT-модули
IGBT-модуль FF450R12KT4
FF450R12KT4 — полумостовой модуль с IGBT четвёртого поколения. Предельное напряжение VCES — 1200 В, допустимый постоянный ток коллектора — 450 А при Tc = 100 °C.
- Предельное напряжение VCES
- 1200 В
- Допустимый постоянный ток
- 450 А при Tc = 100 °C
- Схема
- Полумост
Цена по запросу
Стоимость и срок поставки уточняются для выбранного исполнения.
Запросить стоимостьТемпературные пределы FF450R12KT4
В документации указаны разные пределы: до 150 °C для кристалла в режиме переключения и 175 °C в условиях предельных значений. Температуру 175 °C нельзя принимать за допустимую температуру кристалла при непрерывной коммутации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Внутренняя схема | Полумост | — |
| Предельное напряжение коллектор–эмиттер | 1200 Вмакс. | Tj = 25 °C |
| Допустимый постоянный ток коллектора | 450 Адопустимый постоянный | Tc = 100 °C; Tj max = 175 °C |
| Допустимый постоянный ток при Tc = 25 °C | 580 Адопустимый постоянный | Tc = 25 °C; Tj max = 175 °C |
| Предельный импульсный ток коллектора | 900 Амакс. | Импульс 1 мс |
| Предельное напряжение затвор–эмиттер | ±20 Впредельное | — |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 1,75 Втип. | Ic = 450 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,15 Вмакс. | Ic = 450 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Предельная рассеиваемая мощность | 2400 Втпредельная | Tc = 25 °C; на один IGBT; Tj max = 175 °C |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус | 0,062 К/Втмакс. | На один IGBT |
| Температура кристалла при коммутации | −40…+150 °Cдопустимый диапазон | — |
| Предельная температура кристалла | 175 °Cмакс. | Предел в условиях абсолютных максимальных значений |
| Температура хранения | −40…+125 °Cдиапазон | — |
| Испытательное напряжение изоляции | 4 кВ ACдействующее | 1 мин при 50 Гц |
| Заряд затвора | 3,6 мкКлтип. | VGE: от −15 до +15 В |
| Сопротивление внутреннего резистора затвора | 1,9 Омтип. | Tj = 25 °C |
| Входная ёмкость | 28 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Проходная ёмкость | 1,1 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Длина × ширина основания | 106,4 × 61,4 ммноминальные размеры | По чертежу корпуса |
| Масса | 340 гтип. | — |
| Энергия включения | 30 мДжтип. | Ic = 450 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGon = 1 Ом; Ls = 30 нГн |
| Энергия выключения | 40 мДжтип. | Ic = 450 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGoff = 1 Ом; Ls = 30 нГн |
Tc — температура корпуса, Tj — температура кристалла. «Тип.» означает типовое значение, «макс.» — максимальное. Для полумостов токи и мощность рассеяния указаны на один IGBT. Предельные параметры не задают рекомендуемый рабочий режим.