IGBT-модули
IGBT-модуль FF400R12KT3
FF400R12KT3 — полумост с IGBT третьего поколения и обратными диодами. Предельное напряжение VCES — 1200 В. Допустимый постоянный ток коллектора составляет 400 А при Tc = 80 °C.
- Предельное напряжение VCES
- 1200 В
- Допустимый постоянный ток
- 400 А при Tc = 80 °C
- Схема
- Полумост
Цена по запросу
Стоимость и срок поставки уточняются для выбранного исполнения.
Запросить стоимостьПараметры полумоста FF400R12KT3
При токе 400 А, напряжении затвор–эмиттер 15 В и температуре кристалла 25 °C типовое напряжение насыщения составляет 1,7 В. В таблице отдельно приведены допустимые токи для корпуса при 25 и 80 °C.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Внутренняя схема | Полумост | — |
| Предельное напряжение коллектор–эмиттер | 1200 Вмакс. | Tj = 25 °C |
| Допустимый постоянный ток коллектора | 400 Адопустимый постоянный | Tc = 80 °C; Tj max = 150 °C |
| Допустимый постоянный ток при Tc = 25 °C | 580 Адопустимый постоянный | Tc = 25 °C; Tj max = 150 °C |
| Предельный импульсный ток коллектора | 800 Амакс. | Импульс 1 мс |
| Предельное напряжение затвор–эмиттер | ±20 Впредельное | — |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 1,7 Втип. | Ic = 400 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,15 Вмакс. | Ic = 400 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Предельная рассеиваемая мощность | 2000 Втпредельная | Tc = 25 °C; на один IGBT; Tj max = 150 °C |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус | 0,062 К/Втмакс. | На один IGBT |
| Температура кристалла при коммутации | −40…+125 °Cдопустимый диапазон | — |
| Предельная температура кристалла | 150 °Cмакс. | Предел в условиях абсолютных максимальных значений |
| Температура хранения | −40…+125 °Cдиапазон | — |
| Испытательное напряжение изоляции | 2,5 кВ ACдействующее | 1 мин при 50 Гц |
| Заряд затвора | 3,7 мкКлтип. | VGE: от −15 до +15 В |
| Сопротивление внутреннего резистора затвора | 1,9 Омтип. | Tj = 25 °C |
| Входная ёмкость | 28 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Проходная ёмкость | 1,1 нФтип. | VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Длина × ширина основания | 106,4 × 61,4 ммноминальные размеры | По чертежу корпуса |
| Масса | 340 гтип. | — |
| Энергия включения | 28 мДжтип. | Ic = 400 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGon = 1,8 Ом; Ls = 30 нГн; di/dt = 8000 А/мкс |
| Энергия выключения | 45 мДжтип. | Ic = 400 А; VCE = 600 В; VGE = ±15 В; Tj = 125 °C; RGoff = 1,8 Ом; Ls = 30 нГн; du/dt = 4500 В/мкс |
Tc — температура корпуса, Tj — температура кристалла. «Тип.» означает типовое значение, «макс.» — максимальное. Для полумостов токи и мощность рассеяния указаны на один IGBT. Предельные параметры не задают рекомендуемый рабочий режим.