IGBT-модули
IGBT-модуль 2MBI200PB-140
2MBI200PB-140 — полумостовой модуль серии P с двумя IGBT и обратными диодами. Предельное напряжение VCES — 1400 В. Допустимый постоянный ток каждого транзистора — 200 А при Tc = 80 °C и 300 А при Tc = 25 °C.
- Предельное напряжение VCES
- 1400 В
- Допустимый постоянный ток
- 200 А при Tc = 80 °C
- Схема
- Полумост
Цена по запросу
Стоимость и срок поставки уточняются для выбранного исполнения.
Запросить стоимостьТоки и условия работы
Значения тока 200 и 300 А относятся к разным температурам корпуса. Предельная рассеиваемая мощность 1500 Вт указана для одного IGBT при Tc = 25 °C. Это тепловой предел компонента, а не выходная мощность установки.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия |
|---|---|---|
| Внутренняя схема | Полумост | — |
| Предельное напряжение коллектор–эмиттер | 1400 Вмакс. | Tc = 25 °C |
| Допустимый постоянный ток коллектора | 200 Адопустимый постоянный | Tc = 80 °C |
| Допустимый постоянный ток при Tc = 25 °C | 300 Адопустимый постоянный | Tc = 25 °C |
| Предельный импульсный ток коллектора | 400 Амакс. | Импульс 1 мс; Tc = 80 °C |
| Предельный импульсный ток при Tc = 25 °C | 600 Амакс. | Импульс 1 мс; Tc = 25 °C |
| Предельное напряжение затвор–эмиттер | ±20 Впредельное | — |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 2,7 Втип. | Ic = 200 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | 3 Вмакс. | Ic = 200 А; VGE = 15 В; Tj = 25 °C |
| Предельная рассеиваемая мощность | 1500 Втпредельная | Tc = 25 °C; на один IGBT |
| Тепловое сопротивление кристалл–корпус | 0,085 К/Втмакс. | На один IGBT |
| Предельная температура кристалла | 150 °Cмакс. | Предел в условиях абсолютных максимальных значений |
| Температура хранения | −40…+125 °Cдиапазон | — |
| Испытательное напряжение изоляции | 2,5 кВ ACдействующее | 1 мин |
| Входная ёмкость | 20 нФтип. | VCE = 10 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
| Проходная ёмкость | 1,3 нФтип. | VCE = 10 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; Tj = 25 °C |
Tc — температура корпуса, Tj — температура кристалла. «Тип.» означает типовое значение, «макс.» — максимальное. Для полумостов токи и мощность рассеяния указаны на один IGBT. Предельные параметры не задают рекомендуемый рабочий режим.